| код |
наименование |
функция |
корпус |
производитель |
примечания |
|
| WU |
BCR162L3 |
"цифровой" pnp: 50В/100мА, 4,7к/4,7к |
tslp3 |
Infineon |
|
| WU |
BZX284-B4V3 |
стабилитрон 400мВт: 4,3В, ±2% |
sod110 |
NXP |
|
| WU |
BZT52-C33S |
стабилитрон 200мВт: 33В |
sod323 |
Panjit |
|
| WU |
BZX84-C33 |
стабилитрон 350 мВт: 33В |
sot23 |
MCC |
|
| WU |
TLV70528YFP |
LDO: 2,8В/200мА |
dsbga4 |
TI |
|
| WU## |
R1210N581D |
повышающий dc-dc: 5,8В 180кГц +LTD |
sot23-5 |
Ricoh |
## - lot-код |
|
| WU1 |
PESD5V2S2UT |
2 защитных ESD диода ОА: 5.2В |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WU2 |
PESD12VS2UT |
2 защитных ESD диода ОА: 12В |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WU3 |
PESD15VS2UT |
2 защитных ESD диода ОА: 15В |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WU4 |
PESD24VS2UT |
2 защитных ESD диода ОА: 24В |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WU5 |
PBSS4160T |
npn: 60В/1А LowSat |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WU6 |
PBSS5160T |
pnp: 60В/1А LowSat |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WU7 |
PBSS9110T |
pnp:100В/1А LowSat |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WU8 |
PBSS8110T |
npn:100В/1А LowSat |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WU9 |
PESD3V3S2UT |
2 защитных ESD диода ОА: 3.3В |
sot23 |
NXP |
@China |
|
| WUs |
BCR162/F/T/U |
"цифровой" pnp: 50В/100мА, 4,7к/4,7к |
sot23/tsfp3/cs75/sc74 |
Infineon |
|
| WUs |
BCR35PN |
сдвоенный "цифровой" npn/pnp: 50В/100мА, 10к/47к |
sot363 |
Infineon |
|
